MOSFET Vishay IRFR430ATRPBF, VDSS 500 V, ID 5 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 165-7215Marca: VishayNúmero de parte de fabricante: IRFR430ATRPBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

500 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1,7 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

110000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

24 nC a 10 V

Ancho

6.22mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

2.38mm

País de Origen

Malaysia

Datos del producto

MOSFET de canal N, de 500 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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P.O.A.

MOSFET Vishay IRFR430ATRPBF, VDSS 500 V, ID 5 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple

2000

Disponible en múltiplos de 2000
2000P.O.A.
4000P.O.A.
6000P.O.A.
8000P.O.A.
10000P.O.A.
12000P.O.A.
14000P.O.A.
16000P.O.A.
18000P.O.A.
20000P.O.A.
22000P.O.A.
24000P.O.A.
26000P.O.A.
28000P.O.A.
30000P.O.A.

P.O.A.

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1,7 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

110000 mW

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Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

6.73mm

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1

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