MOSFET Vishay IRFR110PBF, VDSS 100 V, ID 4,3 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 540-9581PMarca: VishayNúmero de parte de fabricante: IRFR110PBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

4.3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

540 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

8,3 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

6.73mm

Profundidad

6.22mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

2.39mm

Datos del producto

MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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P.O.A.

MOSFET Vishay IRFR110PBF, VDSS 100 V, ID 4,3 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

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3

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Mejora

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2V

Disipación de Potencia Máxima

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1

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Largo

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Si

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