MOSFET Vishay Siliconix Si2319DDS-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 3,6 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Vishay SiliconixTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
3.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1.7 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12,5 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
3.04mm
Profundidad
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Serie
TrenchFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
1.02mm
País de Origen
China
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$ 311
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 370,09
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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P
Maximum Continuous Drain Current
3.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1.7 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12,5 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
3.04mm
Profundidad
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Serie
TrenchFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
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