MOSFET Toshiba TK56E12N1,S1X(S, VDSS 120 V, ID 112 A, TO-220 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Número de Elementos por Chip
1
Modo de Canal
Mejora
Tipo de Canal
N
Material del transistor
Si
Conteo de Pines
3
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Tensión de diodo directa
1.2V
Tipo de montaje
Through Hole
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión Máxima Drenador-Fuente
120 V
Serie
U-MOSVIII-H
Profundidad
4.45mm
Tipo de Encapsulado
TO-220
Longitud:
10.16mm
Disipación de Potencia Máxima
168 W
Altura
15.1mm
Maximum Continuous Drain Current
112 A
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7 m.Ω
Brand
ToshibaCarga Típica de Puerta @ Vgs
69 nC a 10 V
Datos del producto
11mm, 3.5 Digit Display
LCD 4 to 20mA Current Loop Powered Meters
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P.O.A.
10
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1
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Tipo de Canal
N
Material del transistor
Si
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3
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Tensión de diodo directa
1.2V
Tipo de montaje
Through Hole
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión Máxima Drenador-Fuente
120 V
Serie
U-MOSVIII-H
Profundidad
4.45mm
Tipo de Encapsulado
TO-220
Longitud:
10.16mm
Disipación de Potencia Máxima
168 W
Altura
15.1mm
Maximum Continuous Drain Current
112 A
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7 m.Ω
Brand
ToshibaCarga Típica de Puerta @ Vgs
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