MOSFET Toshiba SSM3K09FU, VDSS 30 V, ID 400 mA, SOT-323 de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 171-2396Marca: ToshibaNúmero de parte de fabricante: SSM3K09FU
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Toshiba

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

400 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-323

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1,7 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.1V

Disipación de Potencia Máxima

0,15 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

2mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

1.25mm

Altura

0.9mm

País de Origen

Thailand

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P.O.A.

MOSFET Toshiba SSM3K09FU, VDSS 30 V, ID 400 mA, SOT-323 de 3 pines, config. Simple

3000

Disponible en múltiplos de 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

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N

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Tipo de Encapsulado

SOT-323

Tipo de montaje

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1,7 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.1V

Disipación de Potencia Máxima

0,15 W

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