MOSFET Toshiba 2SJ668(TE16L,NQ), VDSS 60 V, ID 5 A, PW Mold de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 415-174Marca: ToshibaNúmero de parte de fabricante: 2SJ668(TE16L,NQ)
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Toshiba

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

PW Mold

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

170 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Disipación de Potencia Máxima

20000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

15 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

5.5mm

Material del transistor

Si

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

6.5mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

2.3mm

Datos del producto

MOSFET de canal P, serie 2SJ, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

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P.O.A.

MOSFET Toshiba 2SJ668(TE16L,NQ), VDSS 60 V, ID 5 A, PW Mold de 3 pines, config. Simple
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Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

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Mejora

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