Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
0.05 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
15 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
750 mW
Transistor Configuration
Complejo
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
120 MHz
Conteo de Pines
14
Número de Elementos por Chip
5
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Dimensiones del Cuerpo
1.45 x 8.64 x 3.91mm
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P.O.A.
55
P.O.A.
55
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Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
0.05 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
15 V
Tipo de Encapsulado
SOIC W
Tipo de montaje
Surface Mount
Disipación de Potencia Máxima
750 mW
Transistor Configuration
Complejo
Maximum Collector Base Voltage
20 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
120 MHz
Conteo de Pines
14
Número de Elementos por Chip
5
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Dimensiones del Cuerpo
1.45 x 8.64 x 3.91mm