MOSFET Texas Instruments CSD25481F4, VDSS 20 V, ID 2,5 A, PICOSTAR de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 827-4925Marca: Texas InstrumentsNúmero de parte de fabricante: CSD25481F4
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

2.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

PICOSTAR

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

800 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.2V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.7V

Disipación de Potencia Máxima

500 mW

Transistor Configuration

Single

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,913 nC a 4,5 V

Profundidad

0.6mm

Material del transistor

Si

Serie

FemtoFET

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

0.35mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal P NexFET™, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

2.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

PICOSTAR

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

800 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.2V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.7V

Disipación de Potencia Máxima

500 mW

Transistor Configuration

Single

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,913 nC a 4,5 V

Profundidad

0.6mm

Material del transistor

Si

Serie

FemtoFET

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

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