MOSFET Texas Instruments CSD18563Q5AT, VDSS 60 V, ID 100 A, VSON de 8 pines, config. Simple

Código de producto RS: 823-9256PMarca: Texas InstrumentsNúmero de parte de fabricante: CSD18563Q5AT
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

VSON

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

10.8 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.4V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.7V

Disipación de Potencia Máxima

3.2 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

6.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

15 nC a 10 V

Profundidad

5mm

Material del transistor

Si

Serie

NexFET

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.1mm

Datos del producto

MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

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Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

10.8 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.4V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.7V

Disipación de Potencia Máxima

3.2 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

6.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

15 nC a 10 V

Profundidad

5mm

Material del transistor

Si

Serie

NexFET

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.1mm

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