MOSFET Texas Instruments CSD17483F4T, VDSS 30 V, ID 1,5 A, PICOSTAR de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 823-9243PMarca: Texas InstrumentsNúmero de parte de fabricante: CSD17483F4T
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Texas Instruments

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

1.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

PICOSTAR

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

550 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.1V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.65V

Disipación de Potencia Máxima

500 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Ancho

0.64mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1,01 nC a 4,5 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

1.04mm

Altura

0.35mm

Series

FemtoFET

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N FemtoFET™, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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P.O.A.

MOSFET Texas Instruments CSD17483F4T, VDSS 30 V, ID 1,5 A, PICOSTAR de 3 pines, config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

P.O.A.

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Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

550 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.1V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.65V

Disipación de Potencia Máxima

500 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Ancho

0.64mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1,01 nC a 4,5 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

1.04mm

Altura

0.35mm

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