MOSFET Texas Instruments CSD16414Q5, VDSS 25 V, ID 100 A, SON de 8 pines, config. Simple

Brand

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

25 V

Tipo de Encapsulado

SON

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2,6 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.3V

Disipación de Potencia Máxima

3.2 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-12 V, +16 V

Ancho

5.1mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud:

6.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

16,6 nC a 4,5 V

Altura

1.05mm

Serie

NexFET

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

Malaysia