Documentos Técnicos
Especificaciones
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Tipo de Canal
N
Material del transistor
Si
Conteo de Pines
3
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Transistor Configuration
Single
Tipo de montaje
Through Hole
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Serie
MDmesh, SuperMESH
Profundidad
4.6mm
Disipación de Potencia Máxima
35000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Longitud:
10.4mm
Altura
9.3mm
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
750 mΩ
Brand
STMicroelectronicsCarga Típica de Puerta @ Vgs
50 nC @ 10 V
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$ 4.380
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 5.212,20
Each (In a Pack of 5) (IVA Incluido)
Estándar
5
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Estándar
5
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
5 - 5 | $ 4.380 | $ 21.900 |
10 - 95 | $ 3.717 | $ 18.585 |
100 - 495 | $ 2.893 | $ 14.465 |
500 - 995 | $ 2.457 | $ 12.285 |
1000+ | $ 2.045 | $ 10.225 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Tipo de Canal
N
Material del transistor
Si
Conteo de Pines
3
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Transistor Configuration
Single
Tipo de montaje
Through Hole
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Serie
MDmesh, SuperMESH
Profundidad
4.6mm
Disipación de Potencia Máxima
35000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-220 FP
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Longitud:
10.4mm
Altura
9.3mm
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
750 mΩ
Brand
STMicroelectronicsCarga Típica de Puerta @ Vgs
50 nC @ 10 V