Transistor MOSFET STMicroelectronics STL26N60DM6, VDSS 600 V, ID 15 A, PowerFLAT 8 x 8 HV de 5 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT 8 x 8 HV
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
215 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.75V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.25V
Disipación de Potencia Máxima
110000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±25 V
Profundidad
8.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
8.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
24 nC a 10 V
Altura
0.9mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.6V
País de Origen
China
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$ 2.450
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 2.915,50
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
PowerFLAT 8 x 8 HV
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
215 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.75V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.25V
Disipación de Potencia Máxima
110000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±25 V
Profundidad
8.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
8.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
24 nC a 10 V
Altura
0.9mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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