IGBT, STGP10NC60KD, N-Canal, 20 A, 600 V, TO-220, 3-Pines Simple

Código de producto RS: 686-8376PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STGP10NC60KD
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Corriente Máxima Continua del Colector

20 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

600 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Transistor Configuration

Single

Dimensiones

10.4 x 4.6 x 9.15mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Datos del producto

IGBT Discretes, STMicroelectronics

IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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P.O.A.

IGBT, STGP10NC60KD, N-Canal, 20 A, 600 V, TO-220, 3-Pines Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

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Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

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N

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3

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Single

Dimensiones

10.4 x 4.6 x 9.15mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

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IGBT Discretes, STMicroelectronics

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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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