Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
65V
Tipo de Encapsulado
B4E
Serie
RF2L
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
4
Modo de canal
Enhancement
Máxima Temperatura de Funcionamiento
200°C
Configuración de transistor
Single
Largo
27.94mm
Altura
9.4mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ganancia de Potencia Típica
14dB
Estándar de automoción
No
Datos del producto
El STMicroelectronics RF2L16180CB4 es un transistor LDMOS ajustado internamente de 180 W y 28 V diseñado para estaciones base WCDMA/PCS/DCS/LTE de varios canales y aplicaciones ISM con frecuencias de 1300 a 1600 MHz. Se pueden configurar cuatro cables como de un extremo, de inserción-extracción de 180 grados o híbridos de 90 grados o Doherty con una red de ajuste externa adecuada.
Volver a intentar más tarde
$ 21.285.240
$ 177.377 Each (On a Reel of 120) (Sin IVA)
$ 25.329.436
$ 211.078,63 Each (On a Reel of 120) (IVA Inc.)
120
$ 21.285.240
$ 177.377 Each (On a Reel of 120) (Sin IVA)
$ 25.329.436
$ 211.078,63 Each (On a Reel of 120) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
120
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
65V
Tipo de Encapsulado
B4E
Serie
RF2L
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
4
Modo de canal
Enhancement
Máxima Temperatura de Funcionamiento
200°C
Configuración de transistor
Single
Largo
27.94mm
Altura
9.4mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ganancia de Potencia Típica
14dB
Estándar de automoción
No
Datos del producto
El STMicroelectronics RF2L16180CB4 es un transistor LDMOS ajustado internamente de 180 W y 28 V diseñado para estaciones base WCDMA/PCS/DCS/LTE de varios canales y aplicaciones ISM con frecuencias de 1300 a 1600 MHz. Se pueden configurar cuatro cables como de un extremo, de inserción-extracción de 180 grados o híbridos de 90 grados o Doherty con una red de ajuste externa adecuada.