Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
-1.5 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
-30 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
170
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
0.95 x 2.9 x 1.3mm
Datos del producto
Transistores PNP de uso general, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
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P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
25
P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
25
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Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
PNP
Corriente DC Máxima del Colector
-1.5 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
-30 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
170
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
100 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
0.95 x 2.9 x 1.3mm
Datos del producto
Transistores PNP de uso general, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.