Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
SemikronCorriente Máxima Continua del Colector
30 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Tipo de Encapsulado
SEMITOP1
Configuration
Single
Tipo de montaje
PCB Mount
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
4
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
31 x 24 x 15.43mm
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
Italy
Datos del producto
Módulos IGBT simples
Semikron ofrece módulos IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) en encapsulados SEMITRANS, SEMiX y SEMITOP en varias topologías, valores de corriente y tensiones nominales.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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$ 25.173
Each (Sin IVA)
$ 29.956
Each (IVA Incluido)
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Tipo de Encapsulado
SEMITOP1
Configuration
Single
Tipo de montaje
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Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
4
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
31 x 24 x 15.43mm
Temperatura Mínima de Operación
-40 ºC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
Italy
Datos del producto
Módulos IGBT simples
Semikron ofrece módulos IGBT (transistor bipolar de puerta aislada) en encapsulados SEMITRANS, SEMiX y SEMITOP en varias topologías, valores de corriente y tensiones nominales.
IGBT Modules, Semikron
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.