Transistor Darlington, BD679, NPN 4 A, 80 V, HFE:750, SOT-32, 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Renesas ElectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
4 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
SOT-32
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
750
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
2.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.2mA
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Altura
10.8mm
Dimensiones
7.8 x 2.7 x 10.8mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
7.8mm
Ancho
2.7mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
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$ 643
Each (Sin IVA)
$ 765
Each (IVA Inc.)
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Comprar en grandes cantidades
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 1 | $ 643 |
| 2 - 4 | $ 614 |
| 5 - 9 | $ 599 |
| 10 - 24 | $ 584 |
| 25+ | $ 555 |
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Tipo de montaje
Through Hole
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3
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Número de Elementos por Chip
1
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750
Maximum Collector Base Voltage
80 V
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
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Altura
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Dimensiones
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
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