Fototransistor NPNOsram Opto sensible a IR, luz visible, rango onda λ 460 → 1080 nm, corriente Ic 50mA, mont.
Documentos Técnicos
Especificaciones
Espectros Detectados
infrarrojo, Luz Visible
Tiempo de Bajada Típico
14µs
Typical Rise Time
14µs
Number of Channels
1
Maximum Light Current
8600µA
Corriente de Oscuridad Máxima
200nA
Ángulo de Sensibilidad Media
80 °
Polarity
NPN
Number of Pins
1
Tipo de montaje
Through Hole
Encapsulado
5mm (T-1 3/4)
Dimensiones
5.9 x 5.9 x 6.9mm
Corriente del Colector
50mA
Máxima Longitud de Onda Detectada
1080nm
Rango Espectral de Sensibilidad
460 → 1080 nm
Mínima Longitud de Onda Detectada
460nm
Largo
5.9mm
Profundidad
5.9mm
Altura
6.9mm
Datos del producto
Fototransistor con encapsulado de 5 mm
Phototransistors, OSRAM Opto Semiconductors
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P.O.A.
10
P.O.A.
10
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Especificaciones
Espectros Detectados
infrarrojo, Luz Visible
Tiempo de Bajada Típico
14µs
Typical Rise Time
14µs
Number of Channels
1
Maximum Light Current
8600µA
Corriente de Oscuridad Máxima
200nA
Ángulo de Sensibilidad Media
80 °
Polarity
NPN
Number of Pins
1
Tipo de montaje
Through Hole
Encapsulado
5mm (T-1 3/4)
Dimensiones
5.9 x 5.9 x 6.9mm
Corriente del Colector
50mA
Máxima Longitud de Onda Detectada
1080nm
Rango Espectral de Sensibilidad
460 → 1080 nm
Mínima Longitud de Onda Detectada
460nm
Largo
5.9mm
Profundidad
5.9mm
Altura
6.9mm
Datos del producto