Fototransistor NPNOsram Opto BPX 81, rango onda λ 450 → 1100 nm, corriente Ic 50mA, mont. pasante, Matriz en
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tiempo de Bajada Típico
6µs
Typical Rise Time
6µs
Number of Channels
1
Maximum Light Current
>400µA
Corriente de Oscuridad Máxima
1 (≤ 50)nA
Ángulo de Sensibilidad Media
±18°
Polarity
NPN
Number of Pins
1
Tipo de montaje
Through Hole
Encapsulado
Miniature Array
Dimensiones
2.2 x 2 x 3.45mm
Corriente del Colector
50mA
Máxima Longitud de Onda Detectada
1100nm
Rango Espectral de Sensibilidad
450 → 1100 nm
Mínima Longitud de Onda Detectada
450nm
Profundidad
2mm
Linealidad
High
Altura
3.45mm
Tensión de saturación
150mV
Serie
BPX 81
Emitter Collector Voltage
7V
Tensión del colector de emisión
35V
Largo
2.2mm
País de Origen
China
Datos del producto
Fototransistor con encapsulado en miniatura
Phototransistors, OSRAM Opto Semiconductors
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P.O.A.
1000
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Corriente de Oscuridad Máxima
1 (≤ 50)nA
Ángulo de Sensibilidad Media
±18°
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Corriente del Colector
50mA
Máxima Longitud de Onda Detectada
1100nm
Rango Espectral de Sensibilidad
450 → 1100 nm
Mínima Longitud de Onda Detectada
450nm
Profundidad
2mm
Linealidad
High
Altura
3.45mm
Tensión de saturación
150mV
Serie
BPX 81
Emitter Collector Voltage
7V
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35V
Largo
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