MOSFET onsemi VEC2315-TL-W, VDSS 60 V, ID 2,5 A, SOT-28FL, VEC8 de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Código de producto RS: 121-7891Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: VEC2315-TL-W
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

2.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-28FL, VEC8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

194 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.6V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

1000 mW

Transistor Configuration

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

11 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Profundidad

2.3mm

Longitud

2.9mm

Número de Elementos por Chip

2

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

0.73mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal P doble, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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P.O.A.

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Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

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8

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194 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.6V

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1.2V

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