JFET, TF412SG, N-Canal, 30 V, Único, SOT-883, 3-Pines Simple

Código de producto RS: 867-3287Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: TF412ST5G
brand-logo
Ver todo de JFET

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss

1.2 to 3mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Maximum Drain Gate Voltage

-30V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOT-883

Conteo de Pines

3

Capacidad Drenador-Fuente

4pF

Capacidad Fuente-Puerta

4pF

Dimensiones

1.08 x 0.68 x 0.41mm

Longitud

1.08mm

Altura

0.41mm

Disipación de Potencia Máxima

100 mW

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Profundidad

0.68mm

Datos del producto

JFET de canal N, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

Volver a intentar más tarde

Vuelva a verificar más tarde.

Volver a intentar más tarde

$ 384

Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)

$ 456,96

Each (In a Pack of 50) (IVA Incluido)

JFET, TF412SG, N-Canal, 30 V, Único, SOT-883, 3-Pines Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 50.

Producción -

Disponible en múltiplos de 50.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

50

Disponible en múltiplos de 50
50$ 19.200
100$ 38.400
150$ 57.600
200$ 76.800
250$ 46.000
300$ 55.200
350$ 64.400
400$ 73.600
450$ 82.800
500$ 92.000
550$ 101.200
600$ 110.400
650$ 119.600
700$ 128.800
750$ 138.000

$ 384

Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)

$ 456,96

Each (In a Pack of 50) (IVA Incluido)

JFET, TF412SG, N-Canal, 30 V, Único, SOT-883, 3-Pines Simple
Volver a intentar más tarde
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 50.

Producción -

Disponible en múltiplos de 50.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

50

Disponible en múltiplos de 50
50$ 19.200
100$ 38.400
150$ 57.600
200$ 76.800
250$ 46.000
300$ 55.200
350$ 64.400
400$ 73.600
450$ 82.800
500$ 92.000
550$ 101.200
600$ 110.400
650$ 119.600
700$ 128.800
750$ 138.000

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
50 - 200$ 384$ 19.200
250 - 950$ 184$ 9.200
1000 - 2450$ 137$ 6.850
2500+$ 108$ 5.400

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss

1.2 to 3mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Maximum Drain Gate Voltage

-30V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOT-883

Conteo de Pines

3

Capacidad Drenador-Fuente

4pF

Capacidad Fuente-Puerta

4pF

Dimensiones

1.08 x 0.68 x 0.41mm

Longitud

1.08mm

Altura

0.41mm

Disipación de Potencia Máxima

100 mW

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Profundidad

0.68mm

Datos del producto

JFET de canal N, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más