MOSFET onsemi NVTFS5C658NLTAG, VDSS 60 V, ID 109 A, WDFN de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 141-2086Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NVTFS5C658NLTAG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

109 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Serie

NVTFS5C658NL

Tipo de Encapsulado

WDFN

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

7.3 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

114 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

3.15mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud:

3.15mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

27 nC a 10 V

Altura

0.75mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Estándar de automoción

AEC-Q101

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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$ 953

Each (On a Reel of 1500) (Sin IVA)

$ 1.134,07

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N

Maximum Continuous Drain Current

109 A

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Tipo de Encapsulado

WDFN

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

7.3 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

114 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

3.15mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud:

3.15mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

27 nC a 10 V

Altura

0.75mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

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