Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
370 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Serie
NVMFS5C404NL
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4 + Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
200000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
6.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
181 nC a 10 V
Altura
1.05mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 40 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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$ 6.157
Each (On a Reel of 1500) (Sin IVA)
$ 7.326,83
Each (On a Reel of 1500) (IVA Incluido)
1500
$ 6.157
Each (On a Reel of 1500) (Sin IVA)
$ 7.326,83
Each (On a Reel of 1500) (IVA Incluido)
1500
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
370 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Serie
NVMFS5C404NL
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4 + Tab
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
200000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
6.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
181 nC a 10 V
Altura
1.05mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto