MOSFET onsemi NTZD3154NT1G, VDSS 20 V, ID 540 mA, SOT-563 de 6 pines, 2elementos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
540 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-563
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
900 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.45V
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±7 V
Profundidad
1.3mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
1.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,5 nC a 4,5 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
0.6mm
País de Origen
China
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$ 76
Each (On a Reel of 4000) (Sin IVA)
$ 90,44
Each (On a Reel of 4000) (IVA Incluido)
4000
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N
Maximum Continuous Drain Current
540 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-563
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
900 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.45V
Disipación de Potencia Máxima
250 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±7 V
Profundidad
1.3mm
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
1.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,5 nC a 4,5 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
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