MOSFET onsemi NTMYS7D3N04CLTWGOS, VDSS 40 V, ID 52 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple

Name: MOSFET onsemi NTMYS7D3N04CLTWGOS, VDSS 40 V, ID 52 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple
Brand: onsemi
SKU: 1952524
Availability: LimitedAvailability

Código de producto RS: 195-2524Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NTMYS7D3N04CLTWG

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

52 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

LFPAK, SOT-669

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

12 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

38000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

7 nC a 4,5 V

Profundidad

4.25mm

Número de Elementos por Chip

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Altura

1.15mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

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$ 1.775

Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)

$ 2.112,25

Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)

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3000

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Maximum Continuous Drain Current

52 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

LFPAK, SOT-669

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

12 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

38000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

7 nC a 4,5 V

Profundidad

4.25mm

Número de Elementos por Chip

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Altura

1.15mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V