IGBT, NGTB35N65FL2WG, N-Canal, 70 A, 650 V, TO-247, 3-Pines, 1MHZ Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiCorriente Máxima Continua del Colector
70 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±20V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Velocidad de Conmutación
1MHz
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
16.26 x 5.3 x 21.08mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
Discretos IGBT, ON Semiconductor
Transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) para variador de motor y otras aplicaciones de conmutación de alta corriente.
IGBT Discretes, ON Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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| 120 - 240 | $ 4.136 | $ 124.080 |
| 270 - 480 | $ 3.918 | $ 117.540 |
| 510 - 990 | $ 3.705 | $ 111.150 |
| 1020+ | $ 3.217 | $ 96.510 |
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Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
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N
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3
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Single
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