Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
1.2 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
30 V
Tensión Máxima Emisor-Base
10 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
5000
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.0001mA
Ancho
1.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Dimensiones
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.92mm
Altura
0.93mm
Datos del producto
Transistores NPN Darlington, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
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P.O.A.
3000
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3000
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onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
1.2 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
30 V
Tensión Máxima Emisor-Base
10 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
5000
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.0001mA
Ancho
1.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Dimensiones
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.92mm
Altura
0.93mm
Datos del producto
Transistores NPN Darlington, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.