Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
24 to 60mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+25 V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Altura
0.94mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
Ancho
1.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
5
P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
5
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onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
24 to 60mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+25 V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Altura
0.94mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
Ancho
1.3mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.