JFET, MMBFJ177LG, P-Canal, Único, SOT-23, 3-Pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
1.5 to 20mA
Maximum Drain Gate Voltage
25V dc
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
300 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Fuente-Puerta
11pF
Dimensiones del Cuerpo
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Altura
1.01mm
Ancho
1.4mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.04mm
País de Origen
China
Datos del producto
JFET de canal P, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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$ 238
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 283,22
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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P
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Tipo de montaje
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Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Fuente-Puerta
11pF
Dimensiones del Cuerpo
3.04 x 1.4 x 1.01mm
Altura
1.01mm
Ancho
1.4mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
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