Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
min. 5mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
50 Ω
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
TO-236
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
28pF
Capacidad Fuente-Puerta
28pF
Dimensiones del Cuerpo
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud:
2.92mm
Altura
0.93mm
Profundidad
1.3mm
País de Origen
China
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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$ 403
Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
$ 479,57
Each (In a Pack of 25) (IVA Incluido)
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25
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
25 - 225 | $ 403 | $ 10.075 |
250 - 725 | $ 184 | $ 4.600 |
750 - 1475 | $ 159 | $ 3.975 |
1500 - 2975 | $ 134 | $ 3.350 |
3000+ | $ 121 | $ 3.025 |
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Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
min. 5mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
50 Ω
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
TO-236
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
28pF
Capacidad Fuente-Puerta
28pF
Dimensiones del Cuerpo
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud:
2.92mm
Altura
0.93mm
Profundidad
1.3mm
País de Origen
China
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.