Transistor Darlington, KSP13BU, NPN 500 mA, 30 V, HFE:5000, TO-92, 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
30 V
Tensión Máxima Emisor-Base
10 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
5000
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.0001mA
Altura
4.58mm
Profundidad
3.86mm
Disipación de Potencia Máxima
625 mW
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Dimensiones del Cuerpo
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
4.58mm
Datos del producto
Transistores NPN Darlington, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
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Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
5000
Maximum Collector Base Voltage
30 V
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Corriente de Corte Máxima del Colector
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Altura
4.58mm
Profundidad
3.86mm
Disipación de Potencia Máxima
625 mW
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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Dimensiones del Cuerpo
4.58 x 3.86 x 4.58mm
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