Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
min. 2mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 Ω
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-92
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
28pF
Capacidad Fuente-Puerta
28pF
Dimensiones
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5.2mm
Altura
5.33mm
Ancho
4.19mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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$ 225
Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
$ 267,75
Each (In a Pack of 50) (IVA Inc.)
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50
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
50 - 200 | $ 225 | $ 11.250 |
250 - 450 | $ 134 | $ 6.700 |
500 - 2450 | $ 130 | $ 6.500 |
2500 - 4950 | $ 127 | $ 6.350 |
5000+ | $ 124 | $ 6.200 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
min. 2mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-35 V
Maximum Drain Gate Voltage
35V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 Ω
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-92
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
28pF
Capacidad Fuente-Puerta
28pF
Dimensiones
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
5.2mm
Altura
5.33mm
Ancho
4.19mm
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.