IGBT, FGL40N120ANDTU, N-Canal, 64 A, 1.200 V, TO-264, 3-Pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiCorriente Máxima Continua del Colector
64 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
1200 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor
±25V
Tipo de Encapsulado
TO-264
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
20 x 5 x 26mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
IGBT discretos, 1.000 V y superior, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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|---|---|---|
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| 125 - 225 | $ 9.191 | $ 229.775 |
| 250+ | $ 8.109 | $ 202.725 |
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±25V
Tipo de Encapsulado
TO-264
Tipo de montaje
Through Hole
Tipo de Canal
N
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Dimensiones del Cuerpo
20 x 5 x 26mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
IGBT discretos, 1.000 V y superior, Fairchild Semiconductor
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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
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