IGBT, FGH60T65SQD-F155, P-Canal, 60 A, 650 V, TO-247 G03, 3-Pines 1 Simple

Código de producto RS: 178-4627PMarca: onsemiNúmero de parte de fabricante: FGH60T65SQD-F155
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Corriente Máxima Continua del Colector

60 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±30V

Número de transistores

1

Disipación de Potencia Máxima

333 W

Tipo de Encapsulado

TO-247 G03

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

P

Conteo de Pines

3

Transistor Configuration

Single

Dimensiones del Cuerpo

15.87 x 4.82 x 20.82mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Energía nominal

50mJ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Capacitancia de puerta

3813pF

País de Origen

China

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P.O.A.

IGBT, FGH60T65SQD-F155, P-Canal, 60 A, 650 V, TO-247 G03, 3-Pines 1 Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

2

Disponible en múltiplos de 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

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Corriente Máxima Continua del Colector

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Número de transistores

1

Disipación de Potencia Máxima

333 W

Tipo de Encapsulado

TO-247 G03

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

P

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3

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Single

Dimensiones del Cuerpo

15.87 x 4.82 x 20.82mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

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50mJ

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