MOSFET onsemi FDY302NZ, VDSS 20 V, ID 600 mA, SOT-523 (SC-89) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 807-0729Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: FDY302NZ
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

600 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-523 (SC-89)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.2 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.6V

Disipación de Potencia Máxima

625 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

1.7mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,8 nC a 4,5 V

Profundidad

0.98mm

Serie

PowerTrench

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

0.78mm

Datos del producto

MOSFET de canal N PowerTrench®, hasta 9,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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$ 253

Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)

$ 301,07

Each (In a Pack of 100) (IVA Incluido)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
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1000 - 2900$ 187$ 18.700
3000 - 8900$ 148$ 14.800
9000 - 23900$ 129$ 12.900
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N

Maximum Continuous Drain Current

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Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-523 (SC-89)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.2 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.6V

Disipación de Potencia Máxima

625 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

1.7mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,8 nC a 4,5 V

Profundidad

0.98mm

Serie

PowerTrench

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

0.78mm

Datos del producto

MOSFET de canal N PowerTrench®, hasta 9,9 A, Fairchild Semiconductor

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