MOSFET onsemi FDWS9509L-F085, VDSS 40 V, ID 65 A, PQFN8 de 8 pines, , config. Simple

Name: MOSFET onsemi FDWS9509L-F085, VDSS 40 V, ID 65 A, PQFN8 de 8 pines, , config. Simple
Brand: onsemi
SKU: 1784235
Availability: LimitedAvailability

Código de producto RS: 178-4235Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: FDWS9509L-F085

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

65 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

PQFN8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

Tensión de umbral de puerta mínima

Disipación de Potencia Máxima

107000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±16 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

48 nC a 10 V

Ancho

5.9mm

Número de Elementos por Chip

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud

5.1mm

Altura

1.1mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.25V

País de Origen

Philippines

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$ 887

Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)

$ 1.055,53

Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)

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Brand

onsemi

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

65 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

PQFN8

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

Tensión de umbral de puerta mínima

Disipación de Potencia Máxima

107000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±16 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

48 nC a 10 V

Ancho

5.9mm

Número de Elementos por Chip

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud

5.1mm

Altura

1.1mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.25V

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