Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Serie
PowerTrench
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
16 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
310000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4.83mm
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
82 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
9.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N PowerTrench®, hasta 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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$ 3.994
Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
$ 4.752,86
Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)
50
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Tubo |
---|---|---|
50 - 50 | $ 3.994 | $ 199.700 |
100 - 200 | $ 3.835 | $ 191.750 |
250+ | $ 3.715 | $ 185.750 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
8 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Serie
PowerTrench
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
16 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
310000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
4.83mm
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
82 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
9.4mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N PowerTrench®, hasta 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.