MOSFET onsemi FDMS86183, VDSS 100 V, ID 51 A, PQFN8 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
51 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
PQFN8
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
12.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
63000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
5.85mm
Longitud:
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 10 V
Serie
PowerTrench
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
1.05mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 100 V a 1700 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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$ 1.847
Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
$ 2.197,93
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| 100 - 475 | $ 1.455 | $ 36.375 |
| 500 - 975 | $ 1.233 | $ 30.825 |
| 1000 - 2975 | $ 1.005 | $ 25.125 |
| 3000+ | $ 973 | $ 24.325 |
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N
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8
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