MOSFET onsemi FCD360N65S3R0, VDSS 650 V, ID 10 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Name: MOSFET onsemi FCD360N65S3R0, VDSS 650 V, ID 10 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Brand: onsemi
SKU: 1784238
Availability: LimitedAvailability

Código de producto RS: 178-4238Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: FCD360N65S3R0

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

10 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

360 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

83000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Profundidad

6.22mm

Número de Elementos por Chip

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

18 nC a 10 V

Altura

2.39mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

País de Origen

China

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$ 1.233

Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)

$ 1.467,27

Each (On a Reel of 2500) (IVA Incluido)

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2500

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Brand

onsemi

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

10 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

360 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

83000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Profundidad

6.22mm

Número de Elementos por Chip

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

18 nC a 10 V

Altura

2.39mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

País de Origen

China