Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Single
Tensión Residual Máxima
10.5V
Tensión Mínima de Ruptura
5V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SOD-923
Tensión de Corte Inversa Máxima
3.3V
Conteo de Pines
2
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
0.3W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
10.5A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones
0.85 x 0.65 x 0.4mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
100nA
Estándar de automoción
AEC-Q101
Capacidad
15pF
Longitud:
0.85mm
Altura
0.4mm
Ancho
0.65mm
Corriente de Prueba
1mA
País de Origen
China
Datos del producto
Low Capacitance ESD Protection Array
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
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P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
100
P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
100
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onsemiTipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Single
Tensión Residual Máxima
10.5V
Tensión Mínima de Ruptura
5V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SOD-923
Tensión de Corte Inversa Máxima
3.3V
Conteo de Pines
2
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
0.3W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
10.5A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Dimensiones
0.85 x 0.65 x 0.4mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
100nA
Estándar de automoción
AEC-Q101
Capacidad
15pF
Longitud:
0.85mm
Altura
0.4mm
Ancho
0.65mm
Corriente de Prueba
1mA
País de Origen
China
Datos del producto