MOSFET onsemi ECH8315-TL-H, VDSS 30 V, ID 7,5 A, ECH de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
7.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
ECH
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
25 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.6V
Disipación de Potencia Máxima
1.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
2.3mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18 nC a 10 V
Altura
0.9mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, de 30 V a 500 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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$ 337
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 401,03
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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P
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Tipo de Encapsulado
ECH
Tipo de montaje
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Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
25 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.6V
Disipación de Potencia Máxima
1.5 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
2.3mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
18 nC a 10 V
Altura
0.9mm
País de Origen
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