MOSFET onsemi BSS123, VDSS 100 V, ID 170 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 671-0321Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: BSS123
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

170 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Serie

PowerTrench

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

6 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.8V

Disipación de Potencia Máxima

360 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1,8 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

2.92mm

Profundidad

1.3mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

0.93mm

Datos del producto

MOSFET de canal N PowerTrench®, hasta 9,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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$ 349

Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

$ 415,31

Each (In a Pack of 10) (IVA Incluido)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
10 - 90$ 349$ 3.490
100 - 990$ 145$ 1.450
1000 - 2990$ 102$ 1.020
3000 - 8990$ 80$ 800
9000+$ 67$ 670

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N

Maximum Continuous Drain Current

170 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

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Serie

PowerTrench

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

6 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.8V

Disipación de Potencia Máxima

360 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

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1,8 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

2.92mm

Profundidad

1.3mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

0.93mm

Datos del producto

MOSFET de canal N PowerTrench®, hasta 9,9 A, Fairchild Semiconductor

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