Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
0,83 W
Transistor Configuration
Single
Conteo de Pines
3
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Número de Elementos por Chip
1
Configuration
Single
Dimensiones
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Altura
5.33mm
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P.O.A.
Empaque de Producción (Cinta)
25
P.O.A.
Empaque de Producción (Cinta)
25
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
0,83 W
Transistor Configuration
Single
Conteo de Pines
3
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Número de Elementos por Chip
1
Configuration
Single
Dimensiones
5.2 x 4.19 x 5.33mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Altura
5.33mm