Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
340 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
330 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,7 nC a 4,5 V
Profundidad
1.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
0.9mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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$ 42
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 49,98
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
$ 42
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 49,98
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Rollo |
---|---|---|
3000 - 3000 | $ 42 | $ 126.000 |
6000+ | $ 39 | $ 117.000 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
340 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
330 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud:
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,7 nC a 4,5 V
Profundidad
1.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Altura
0.9mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto