Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
115 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Profundidad
1.3mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
0.94mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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$ 257
Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
$ 305,83
Each (In a Pack of 50) (IVA Incluido)
50
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$ 305,83
Each (In a Pack of 50) (IVA Incluido)
50
Comprar en grandes cantidades
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
50 - 450 | $ 257 | $ 12.850 |
500 - 950 | $ 107 | $ 5.350 |
1000 - 2450 | $ 73 | $ 3.650 |
2500 - 4950 | $ 66 | $ 3.300 |
5000+ | $ 58 | $ 2.900 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
115 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
300 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Profundidad
1.3mm
Material del transistor
Si
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
0.94mm
Datos del producto