Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
4 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-225AA
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4 V
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
100µA
Disipación de Potencia Máxima
40 W
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65 °C
Dimensiones
11.04 x 7.74 x 2.66mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
11.04mm
Altura
2.66mm
Ancho
7.74mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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P.O.A.
500
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NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
4 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-225AA
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4 V
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
100µA
Disipación de Potencia Máxima
40 W
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65 °C
Dimensiones
11.04 x 7.74 x 2.66mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
11.04mm
Altura
2.66mm
Ancho
7.74mm
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.