MOSFET onsemi RFP50N06, VDSS 60 V, ID 50 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 325-7625PMarca: ON SemiconductorNúmero de parte de fabricante: RFP50N06
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

50 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Series

MegaFET

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

22 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

131 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud:

10.67mm

Ancho

4.83mm

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

125 nC a 20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

9.4mm

Datos del producto

MegaFET MOSFET, Fairchild Semiconductor

El proceso MegaFET, que utiliza tamaños similares a los de los circuitos integrados LSI, proporciona un uso óptimo del silicio, lo que ofrece un rendimiento extraordinario.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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Series

MegaFET

Tipo de Montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

22 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

131 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Longitud:

10.67mm

Ancho

4.83mm

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

125 nC a 20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

9.4mm

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El proceso MegaFET, que utiliza tamaños similares a los de los circuitos integrados LSI, proporciona un uso óptimo del silicio, lo que ofrece un rendimiento extraordinario.

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