MOSFET onsemi NTD6415AN-1G, VDSS 100 V, ID 23 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, config. Simple

Brand

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

23 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

IPAK (TO-251)

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

55 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Disipación de Potencia Máxima

83000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

29 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Largo

6.73mm

Profundidad

2.38mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

7.62mm