Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
IPAK (TO-251)
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Disipación de Potencia Máxima
58 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10 nC a 10 V
Profundidad
2.38mm
Material del transistor
Si
Altura
7.62mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Tipo de Encapsulado
IPAK (TO-251)
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3,3 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Disipación de Potencia Máxima
58 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10 nC a 10 V
Profundidad
2.38mm
Material del transistor
Si
Altura
7.62mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C